Быков Ю.А., Карпухин С.Д., Бойченко М.К., Чепцов В.О.
(МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Москва, РФ)
Развитие нанотехнологий и создание субтонких покрытий нанометровых диапазонов размеров потребовало разработки новых подходов к измерению твёрдости плёнок.
Существующие методы измерения твёрдости или не позволяют измерять твёрдость тонких покрытий — ГОСТ 9450-76 "Измерение твердости вдавливанием алмазных наконечников", или используют сложное и дорогостоящее оборудование — нанотвердомеры. К тому же измеренные физические величины в последнем случае требуют дополнительной интерпретации для определения твёрдости.
Авторами для измерения твердости наноплёнок предложен метод восстановленного отпечатка, получаемого в условиях статического нагружения, но при продавливании индентором покрытия.
Для реализации метода применяют стандартный твердомер в соответствии с ТУ 3-3.1377-83 "Приборы для измерения микротвердости" с алмазным индентором в форме четырехгранной пирамиды с квадратным основанием и углом при вершине 136°.
Суть метода заключается в том, что композиция, состоящая из основы и наноплёнки (покрытия), может рассматриваться как двухфазная статистическая система, в которой одну фазу составляет материал покрытия, вторую – материал основы. Свойства таких систем подчиняются правилу аддитивности, и поэтому для такой композиции можно записать:
, (1)
где HVкомп, HVпок и HVосн — соответственно твердости композиции, покрытия и основы;
n – доля твердости покрытия в твердости композиции.
Отсюда:
. (2)
Величина n может быть определена как отношение площади отпечатка индентора, приходящейся на покрытие Sпок, к площади всего отпечатка индентора, приходящейся на композицию Sком:
. (3)
С учетом соотношения между глубиной проникновения индентора h и диагональю его отпечатка d
(4)
отношение площадей можно выразить через параметры отпечатка:
(5)
где Sосн — площадь отпечатка индентора, приходящаяся на основу;
dком, dосн — диагональ отпечатки индентора, приходящаяся, соответственно, на всю композицию и на основание;
hком, hосн, hпок — глубина проникновения индентора, приходящаяся, соответственно, на всю композицию, на основание и на покрытие.
С учётом вышеизложенного определяют твердость покрытия следующим образом:
§ замеряют толщину покрытия hпок любым из известных способов, например, электронно-микроскопическим, взвешиванием, с помощью интерферометра и т.д.;
§ замеряют и рассчитывают твердость материала основы HVосн (без покрытия) по методу восстановленного отпечатка (ГОСТ 9450-76), при котором измеряют диагональ отпечатка d после снятия нагрузки P. Значение твердости рассчитывают по формуле:
; (6)
§ определяют твердость композиции HVкомп по ГОСТ 9450-76, при этом нагрузку на индентор Р задают таким образом, чтобы обеспечить продавливание покрытия;
§ из формул (6) и (4) определяют hком
§ по формуле (5) определяют n и затем по формуле (2) рассчитывают HVпок .
На предложенный способ определения твердости тонких плёнок подана заявка на изобретение и получено положительное решение.